SANYO Develops HIT Solar Cells

Пресс-релиз компании SANYO Energy (USA) Corp., Tokyo, Japan

 

SANYO Electric Co., Ltd. (SANYO) announced today that it has broken its own record for the world's highest energy conversion efficiency in practical size (100 cm2 or more) crystalline silicon-type solar cells, achieving a efficiency of 22% (until now 21.8%) at a research level for its proprietary HIT solar photovoltaic cells.

Сегодня компания SANYO Electric Co., Ltd. (SANYO) объявила о том, что ею побит ее же собственной рекорд по самому высокому кпд преобразования энергии в солнечных элементах из кристаллического кремния практического размера (100 кв.см и более), доведя это показатель до 22% (до сегодняшнего дня – 21,8%) в лабораторных условиях на основе своих фотоэлектрических солнечных элементов HIT.

Background
История

SANYO is pushing forward with the expansion of its solar business, based on its Brand Vision ‘Think GAIA', and aims to realize a clean energy society. SANYO announced the "Next Generation Program for HIT Solar Cells" *4 last year, with its goal of becoming a top-level business in the global solar industry by FY2010.

Саньо развивает свой солнечный бизнес в соответствии с брендовой концепцией ‘Think GAIA', поставив себе цель создания общества, где применялась бы только экологически чистая энергия. В минувшем году Саньо объявила о программе создания нового поколения солнечных элементов HIT ("Next GenerationProgram for HIT Solar Cells") *4, целью которой является ведущее место в солнечном международном бизнесе к концу 2010 г.

The increase in the solar cell conversion efficiency this time is accompanied by significant advances in lowering the production cost of the photovoltaic system and the reduction in the use of raw materials such as silicon.

Рост кпд преобразования в солнечных элементах сопровождается значительным снижением стоимости фотоэлектрических систем и снижением применения такого сырья как кремний.

This achievement by SANYO represents the first time that a photovoltaic manufacturer has broken through the 22% mark in conversion efficiency at the research-level for practical-sized solar cells, and further cements the leadership of SANYO's HIT solar cell which is renowned for its high conversion efficiency.

Компания Саньо стала первым производителем, перешагнувшим порог 22% кпд конверсии в лабораторных условиях применительно к солнечным элементам практического размера, что укрепило лидерство солнечных элементов HIT компании Саньо, которые известны своим высоким кпд.

For now on SANYO will continue to advance its efforts into applying this research-level achievement into mass production, and promote further research into energy efficiency, as well as reductions in cost and materials.

На настоящий момент Саньо предполагает приложить все усилия и внедрить результаты исследовательских работ в массовое производство, а также продолжить исследования в области эффективности энергетических процессов, снижения себестоимости и материалоемкости.

 
 

1. An investment of a total of over 40 billion yen and an increase in production capacity to over 600MW by FY2010

1. Инвестиции в объеме всего более 40 млрд. йен и увеличение производства свыше 600 МВт до конца 2010 года.

2. The aim to increase the energy conversion efficiency of mass-produced HIT solar cells to over 22% by FY2010

2. Цель – увеличение кпд преобразования энергии серийно выпускаемых солнечных элементов HIT до более чем 22% к концу 2010 года.

 
 

Overview of the elemental technology enabling the high energy conversion efficiency

Обзор базисной технологии, повышающей кпд преобразования энергии

1. Development of a cleaning technology and damage restraint technology for single crystalline silicon (c-Si) wafers

1. Развитие технологии очистки и технологии снижения повреждений пластин из монокристаллического кремния

The structure of the HIT solar cell is such that it has a feature that can reduce recombination loss*5 of the electrical element (charged carrier) *6 by surrounding the energy generation layer of single thin crystalline silicon (c-Si) with high quality ultra-thin amorphous silicon (a-Si) layers. This time SANYO developed two special technologies, one for cleaning the c-Si surface and the other for protecting the c-Si surface from damage during construction of the a-Si layer. The result was an increase in the open circuit voltage (Voc) *7 from 0.718V to 0.722V.

Особенности конструкции солнечных элементов HIT позволяют снизить рекомбинационные потери *5 электрического элемента (заряженный носитель заряда) *6 благодаря расположению тонкого энергогенерирующего слоя монокристаллического кремния между высококачественными сверхтонкими слоями аморфного кремния. В данном случае Саньо проработала две специализированных технологии, одну для очистки монокристаллической поверхности и другую – для защиты монокристаллической поверхности от повреждений в процессе формирования слоя аморфного кремния. В результате фото-ЭДС *7 была увеличена с 0,718 в до 0,722 в.

2. Improvement in the optical confinement technology

2. Улучшение технологии оптической локализации

Sunlight that hits the solar cell surface is guided in through the texture of the micron order*8 on the surface of the cell. This time, the size and the shape of the texture was optimized and the short circuit current (Isc) *9 was improved from 38.37mA/cm² to 38.64mA/cm².

Солнечный свет, падающий на поверхность солнечного элемента, проходит через текстуру толщиной микронного порядка *8, нанесенную на поверхности элемента. В данном случае, размер и форма текстуры были оптимизированы и ток короткого замыкания доведен с 38.37mA/cm² до 38.64mA/cm².

Characteristics of the HIT solar cell

Характеристики солнечного элемента HIT
Open circuit voltage (Voc)
Фото-ЭДС: 0.722V
Short circuit current (Isc)
Ток короткого замыкания: 3.872A (38.64mA/cm2)
Fill factor (FF)*10
Коэффициент заполнения: 78.8%
Cell energy conversion efficiency
кпд преобразования энергии элемента: 22.0%
Cell size
Размер элемента: 100.2cm2
 
 

*1 HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) solar cell is composed of a single thin crystalline silicon wafer surrounded by ultra-thin amorphous silicon layers. This product provides industry-leading performance and value using state-of-the-art manufacturing techniques.

*1 Солнечные элементы, изготовленные по технологии HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer - Гетеропереход с внутренним толстым слоем), состоят из одной тонкой пластины монокристаллического кремния между сверхтонкими слоями аморфного кремния. Это изделие обладает наилучшими техническими характеристиками и стоимостными качествами среди аналогичной промышленной продукции за счет применения современных технологий изготовления.

*2 As of June 19, 2007 (according to in-house surveys)

*2 По состоянию на 19 июня 2007 г. (в соответствии с внутренними обзорами компании)

*3 Evaluation results provided by the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), an energy conversion efficiency public certification body

*3 Результаты анализа, выполненного Национальным институтом передовой промышленной науки и техники, независимого органа сертификации кпд преобразования энергии.

*4 A business expansion strategy to more than triple the solar photovoltaic cell business by FY2010 compared to 2005 levels, through active investment and diversification, most importantly:

*4 Стратегия расширения бизнеса нацелена на увеличение бизнеса солнечных фотоэлектрических элементов более в чем три раза к концу 2010 года по сравнению с уровнем 2050 года в основном за счет активных инвестиций и диверсификации:

*5 Recombination loss occurs when the negative electron and positive hole (carriers) that are produced within the solar cell combine and disappear, causing a loss in the electrical current produced by the cell and hence a decrease in the overall output of the solar cell.

*5 Рекомбинационные потери возникают, когда отрицательно-заряженный электрон и положительно-заряженная дырка (носители зарядов) в солнечном элементе соединяются и исчезают, что приводит к потерям электрического тока, производимого элементом и, следовательно, снижению общей мощности солнечного элемента.

*6 Charged carriers are electrical particles, consisting of electrons (negative charge) and electron holes (positive charge).

*6 Носителями заряда являются электрические частицы, к которым относятся электроны (отрицательные заряды) и электронные дырки (положительные заряды).

*7 Open circuit voltage (Voc) is the maximum voltage produced by the solar cell.

*7 Фото-ЭДС – это максимальное электрическое напряжение, производимое солнечным элементом.

*8 The texture, which is of micron order size, is a technology that gives the surface an uneven composition, thereby ensuring the maximum amount of incoming light enters the solar cell and the least amount is lost through reflection.

*8 Технология формирования текстуры, имеющей размеры порядка микрона, позволяет формировать на поверхности неравномерный состав, что обеспечивает максимальное поступление света в солнечный элемент и минимальные потери из-за его отражения.

*9 The short circuit current (Isc) is the maximum current that can be produced by the solar cell.

*9 Ток короткого замыкания – это максимальный ток, производимый солнечным элементом.

*10 The fill factor is the total output divided by the product of Voc and Isc (Voc x Isc)

*10 Коэффициент заполнения – это общая выходная мощность, деленная на произведение фото-ЭДС и тока короткого замыкания.

 
Digg.com

NewsVine.com

Del-icio-us.com

 

Company Profile :

SANYO Energy (USA) Corp.

2600 Network Blvd.

Suite 600

Frisco, TX 75034

United States

Work 469-362-5645

Visit Website

Contact Us