2007-10-02
ОАО "ПХМЗ" предлагает к продаже новые установки по выращиванию монокристаллического кремния методом Чохральского, разработанные совместно с ЗАО "Термотрон-завод" (г.Брянск). Срок изготовления установки с момента подписания контракта - 6 месяцев. Характеристики установки приведены ниже, габаритные размеры - на вкладке.
Основные характеристики
Метод выращивания монокристаллов Чохральский
Диаметр тигля, до 508 мм (20")
Диаметр слитка, от 150 мм
до 250 мм
Длина кристалла, до 1500 мм
Установочные данные
Размеры установки (без коммуникаций) 3500х2000 мм
Высота установки 6000 мм
Ориентировочная масса установки 4500 кг
Питание:
Параметры электропитания 3х380В+/-10 процентов
Мощность до 150 кВт
Расход инертного газа 500-3000 л/ч
Расход охлаждающей воды 8 куб.м/час
Давление охлаждающей воды 0,3 МПа
Вакуумные характеристики:
Остаточное давление менее 0,001 Торр
Рабочее давление 2-30 Торр
Предельное натекание менее 10-4 Торр*л/сек
Характеристики приводов:
Ход привода тигля до 320 мм
Вращение тигля (реверсивное) 1-20 об/мин
Перемещение тигля (рабочее) 0,01-4 мм/мин
Ход привода кристалла до 2800 мм
Вращение кристалла (реверсивное) 1-30 об/мин
Перемещение кристалла (рабочее) 0,05-8 мм/мин
Установка оптимизирована для реализации технологии полунепрерывного выращивания слитков. Включает встроенное разгрузочное устройство оригинальной конструкции. Система автоматически регулирует расход и давление газа. Система автоматического управления технологическим процессом реализована на основе стандартного РС-совместимого промышленного компьютера.
По желанию заказчика установка комплектуется дозагрузочными устройствами, встраиваемым устройством перегрузки выращенного кристалла, тепловыми узлами для использования с тиглями ф457 и ф508 мм. |
